安森美。安森(onsemi)的技术UG4SC075005L8S在 。AI 。优势PSU规划中十分受欢迎 ,安森有助于完成下一代20 kW体系,技术以立异的优势Combo架构 、高能效、安森高可靠性及体系友好性 ,技术处理了AI范畴大电流 、优势高功率场景的安森核心痛点,为。技术人工智能 。优势硬件的安森高效运转与规模化扩展供给了关键技能支撑,具有明显的技术职业改造价值。
SiC Combo JFET UG4SC075005L8S。优势
技能优势。
Combo JFET的规划旨在让用户可以别离独立操控。MOSFET 。和SiC JFET的栅极。
超低导通电阻Rds(on):选用SiC JFET技能,UG4SC075005L8S的导通电阻低至5mOhm,明显下降导通损耗,提高能效。
更高的峰值。电流。(IDM) :峰值电流关于电路维护运用至关重要,而高IDM的UG4SC075005L8S正是完成这一意图的抱负挑选。电路维护运用因其特定的工作条件而要求稳健性和大电流穿越才能 。
低热阻RθJC:安森美的UG4SC075005L8S选用银烧结裸片贴装技能 ,与大多数焊接资料比较,界面导热功能提高了六倍 ,从而在更小的裸片尺度下完成相同乃至更低的结至外壳热阻RθJC。低RθJC有助于坚持较低的结温 ,并保证更高的可靠性。
速度可控性 :电路维护和多路并联运用的抱负挑选 。经过下降关断速度来削减电压过冲,可加强电路维护,尤其是短路维护 。易于并联 ,超卓地平衡了开关损耗和动态电流平衡之间的功能